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Forscher des italienischen ISOF-CNR, der Universität Neapel „Federico II“ und der Università di Modena e Reggio Emilia haben neue organische n-Typ-FET-Transistoren (OFETs) auf Basis von CVD-Graphenschichten entwickelt. Die Forscher sagen, dass der neue Prozess und die neuen Materialien, die sie verwendeten, flexible, transparente und kurzkanalige OFETs ermöglichen könnten – die in Zukunft für OLED- oder OLET-Displays (Organic Light Emitting Transistor) verwendet werden könnten.
Um die neuen Transistoren herzustellen, verwendeten die Forscher thermisch verdampfte Dünnfilme aus PDIF-CN2 (einem Perylendiimid-Derivat) als organischen Halbleiter für den aktiven Kanal des Transistors mit dem einschichtigen CVD-Graphen (gezüchtet am italienischen IIT-Institut). als Elektrodenmaterial. Die endgültigen Gerätearchitekturen wurden mittels Elektronenstrahllithographie (EBL) und reaktivem Ionenätzen (RIE) hergestellt.
Die Forscher erklären, dass diese neuen OFETs die hervorragenden mechanischen, optischen und elektrischen Eigenschaften von Graphen nutzen. Graphen schließt nun hinsichtlich Schichtwiderstand und Transparenz die Lücke zu den häufiger verwendeten transparenten Elektrodenmaterialien (wie ITO und anderen kohlenstoffbasierten Alternativen).
Der nächste Schritt für die Forschungsgruppe besteht darin, Hochfrequenzgeräte zu realisieren und einen MHz-Betrieb für ihre OFETs auf Graphenbasis zu erreichen.
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